<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rss version="2.0"
	xmlns:content="http://purl.org/rss/1.0/modules/content/"
	xmlns:wfw="http://wellformedweb.org/CommentAPI/"
	xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/"
	xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom"
	xmlns:sy="http://purl.org/rss/1.0/modules/syndication/"
	xmlns:slash="http://purl.org/rss/1.0/modules/slash/"
	>

<channel>
	<title>Электронный научно-практический журнал «Современная техника и технологии» &#187; импульсные перенапряжения</title>
	<atom:link href="http://technology.snauka.ru/tags/impulsnyie-perenapryazheniya/feed" rel="self" type="application/rss+xml" />
	<link>https://technology.snauka.ru</link>
	<description></description>
	<lastBuildDate>Fri, 30 Jan 2026 18:56:12 +0000</lastBuildDate>
	<language>ru</language>
	<sy:updatePeriod>hourly</sy:updatePeriod>
	<sy:updateFrequency>1</sy:updateFrequency>
	<generator>http://wordpress.org/?v=3.2.1</generator>
		<item>
		<title>Защита от действия магнитных полей оборудования ПС-220/110/10 кВ &#8220;Приморская&#8221;</title>
		<link>https://technology.snauka.ru/2015/02/5119</link>
		<comments>https://technology.snauka.ru/2015/02/5119#comments</comments>
		<pubDate>Sun, 01 Feb 2015 18:14:15 +0000</pubDate>
		<dc:creator>Стрижова Татьяна Анатольевна</dc:creator>
				<category><![CDATA[Общая рубрика]]></category>
		<category><![CDATA[импульсные перенапряжения]]></category>
		<category><![CDATA[короткие замыкания]]></category>
		<category><![CDATA[магнитные поля]]></category>
		<category><![CDATA[электромагнитные помехи]]></category>
		<category><![CDATA[электромагнтитная совместимость]]></category>

		<guid isPermaLink="false">https://technology.snauka.ru/?p=5119</guid>
		<description><![CDATA[Современные устройства РЗА, ССПИ, АСКУЭ и связи, основанные на микроэлектронных и микропроцессорных элементах, имеют широкие функциональные возможности и ряд других преимуществ перед электромеханическими устройствами. Однако, в отличие от них, современные устройства обладают одним существенным недостатком, заключающимся в повышенной чувствительности к электромагнитным помехам. Электрические станции и подстанции являются мощными источниками электромагнитных полей и помех, поэтому для [...]]]></description>
			<content:encoded><![CDATA[<p>Современные устройства РЗА, ССПИ, АСКУЭ и связи, основанные на микроэлектронных и микропроцессорных элементах, имеют широкие функциональные возможности и ряд других преимуществ перед электромеханическими устройствами. Однако, в отличие от них, современные устройства обладают одним существенным недостатком, заключающимся в повышенной чувствительности к электромагнитным помехам. Электрические станции и подстанции являются мощными источниками электромагнитных полей и помех, поэтому для нормального функционирования современных устройств необходимо обеспечивать их электромагнитную совместимость (ЭМС) с жесткой электромагнитной обстановкой на энергообъектах.<br />
<strong>Магнитные поля в местах расположения МП аппаратуры.</strong></p>
<p>Расчет напряженностей магнитных полей при КЗ и молниевых разрядах проводился на основе закона Био-Савара.</p>
<p>Закон Био Савара Лапласа определяет величину модуля вектора магнитной индукции в точке выбранной произвольно находящейся в магнитном поле. Поле при этом создано постоянным током на некотором участке.<br />
Формулировка закона Био Савара Лапласа имеет вид: При прохождении постоянного тока по замкнутому контуру, находящемуся в вакууме, для точки, отстоящей на расстоянии r0, от контура магнитная индукция будет иметь вид.</p>
<div align="center"><img src="https://technology.snauka.ru/wp-content/uploads/2015/02/Zakon-Bio-Savara-Laplasa-fla-1.gif" alt="Закон Био Савара Лапласа" width="195" height="65" border="0" hspace="5" vspace="5" /></div>
<p>где I     ток в контуре</p>
<p>μ0-гамма контур, по которому идет интегрирование</p>
<p>r0    произвольная точка</p>
<p>Так как на ПС 220 кВ Приморская планируется установка автоматики защиты от однофазных замыканий на землю в сети 10 кВ, то случаи двойного разнесенного замыкания на землю (фазы замыкаются на землю в разных местах ЗУ ПС) не рассматривались.<strong></strong></p>
<p><strong>Магнитные поля при КЗ в сетях 220 кВ и 10 кВ.</strong></p>
<p>При КЗ в сети 220 кВ максимальное значение магнитного поля в местах размещения МП аппаратуры (за исключением ЗРУ-10 кВ) составит 215 А/м. В помещении ЗРУ-10 кВ при КЗ в сети 220 кВ максимальное значение магнитного поля составит 366 А/м.</p>
<p>Согласно данным для ограничения токов КЗ в сети 10 кВ будут установлены сухие токоограничивающие реакторы с /ном = 3200 А и Хр = 0,1 Ом.</p>
<p>При замыканиях в сети 10 кВ максимальное значение магнитного поля в помещении ЗРУ-10 кВ будет спадать с ростом расстояния до шин 10 кВ, и будет иметь значения, представленные ниже.</p>
<table width="640" border="1" cellspacing="0" cellpadding="0">
<tbody>
<tr>
<td valign="top" width="265">
<p align="center"><strong>Расстояние до шин 10 кВ, м</strong></p>
</td>
<td style="text-align: center;" colspan="2" valign="top" width="376"><strong>Тип КЗ</strong></td>
</tr>
<tr>
<td valign="top" width="265"></td>
<td valign="top" width="180">
<p align="center"><strong>Двухфазное</strong></p>
</td>
<td valign="top" width="196">
<p align="center"><strong>Трехфазное</strong></p>
</td>
</tr>
<tr>
<td valign="top" width="265">
<p align="center">1</p>
</td>
<td valign="top" width="180">
<p align="center">691</p>
</td>
<td valign="top" width="196">
<p align="center">1055</p>
</td>
</tr>
<tr>
<td valign="top" width="265">
<p align="center">2</p>
</td>
<td valign="top" width="180">
<p align="center">208</p>
</td>
<td valign="top" width="196">
<p align="center">349</p>
</td>
</tr>
<tr>
<td valign="top" width="265">
<p align="center">3</p>
</td>
<td valign="top" width="180">
<p align="center">100</p>
</td>
<td valign="top" width="196">
<p align="center">175</p>
</td>
</tr>
</tbody>
</table>
<p>В прочих помещениях с МП аппаратурой напряженность кратковременного магнитного поля (с учетом магнитного поля, создаваемого реакторами) не превысит 200 А/м. <strong></strong></p>
<p><strong>Экранирование микропроцессорной аппаратуры от магнитных полей.</strong></p>
<p>МП-аппаратура, устанавливаемая в ЗРУ-10 кВ будет интегрирована в устанавливаемые ячейки. Защита МП аппаратуры, устанавливаемой в ячейках ЗРУ-10 кВ, от магнитных полей, возникающих в нормальном режиме работы ПС и в режимах замыканий в высоковольтных сетях, должна быть разработана и реализована производителем этой аппаратуры. Защита МП аппаратуры, установленной в ячейках ЗРУ-10 кВ, должна обеспечивать работу устанавливаемой МП аппаратуры в нормальном режиме работы объекта и при замыканиях в сети 10кВ. Данная защита будет обеспечивать также защиту от магнитных полей, возникающих при молниевых разрядах в ближайшие к ЗРУ-10 кВ молниеприемники.</p>
<p>При использовании в прочих помещениях МП аппаратуры, испытанной не ниже, чем по 4-му (300 А/м) классу жесткости на устойчивость к воздействию к кратковременного магнитного поля промышленной частоты в соответствии с ГОСТ Р 50648-94, и по 5-му (1000 А/м) классу жесткости на устойчивость к воздействию импульсного магнитного поля в соответствии с ГОСТ Р 50649-94, необходимости в дополнительном экранировании МП аппаратуры нет.</p>
<p>При использовании в прочих помещениях МП аппаратуры, испытанной не ниже, чем по 4-му (300 А/м) классу жесткости на устойчивость к воздействию к кратковременного магнитного поля промышленной частоты в соответствии сГОСТ Р 50648-94, и по 4-му (300 А/м) классу жесткости на устойчивость к воздействию импульсного магнитного поля в соответствии с ГОСТ Р 50649-94, при расположении МП аппаратуры на расстоянии более 3 м от токоотводов, необходимости в дополнительном экранировании МП аппаратуры нет.</p>
<p>При использовании в помещении панелей управления и автоматики МП аппаратуры, испытанной не ниже, чем по 4-му (300 А/м) классу жесткости на устойчивость к воздействию к кратковременного магнитного поля промышленной частоты в соответствии с ГОСТ Р 50648-94, и по 4-му (300 А/м) классу жесткости на устойчивость к воздействию импульсного магнитного поля в соответствии с ГОСТ Р 50649-94, при расположении МП аппаратуры на расстоянии менее 3 м от токоотводов, необходимо принятие одной из следующих мер по экранированию МП аппаратуры:</p>
<p>1. Разместить МП аппаратуру в стальных экранирующих шкафах, с толщиной стенок не менее 1,0 мм. Экранирующие шкафы должны удовлетворять следующим требованиям: в экранирующем шкафу должно быть сведено к минимуму наличие щелей, которые значительно уменьшают экранирующий эффект. Это может быть сделано с помощью комбинированных уплотнителей ЭМС/IP (например, ЭМС-прокладки), которые обеспечивают герметичный и электрический контакт по всему периметру между панелями и каркасом шкафа. Таким же образом должен обеспечиваться контакт между дверью и корпусом шкафа в закрытом состоянии. При этом поверхности соприкосновения с уплотнителями должны быть либо не окрашены, либо зачищены от непроводящей краски, либо окрашены проводящей краской. Для экранирования смотровых окон может быть использована стальная сетка размером ячейки не более 20х20 мм и толщиной не менее 1,0 мм. Сетка должна иметь надежный электрический контакт с металлоконструкциями стенки шкафа по всему периметру. Другим вариантом экранирования окон является использование стекол с проводящим покрытием (например, из сплава оксида индия и олова -ITO, широко используемого в LCD-промышленности). При использовании стекол с проводящими покрытиями необходимо обеспечить электрическийконтакт между проводящим слоем и металлоконструкциями шкафа, желательно по всему периметру стекол.</p>
<p>2. Экранировать помещение панелей управления и автоматики стальной просечной (или сварной, паяной) сеткой (толщиной не менее 1,0 мм). Вся внутренняя поверхность помещений должна быть закрыта сеткой (стены, потолок, пол) с размером ячейки не более 20х20 мм. При этом должны быть выполнены требования, аналогичные требованиям, предъявляемым к экранирующим шкафам, а именно надежный электрический контакт по периметру между листами сетки, как на стенах, так и на окнах, полу, потолке, а также с элементами системы уравнивания потенциалов. Рекомендуется сварное соединение (допускается пайка). Окна помещений, в которых расположена МП аппаратура следует экранировать стальной просечной (или сварной, паяной) сеткой. Сетка должна быть толщиной не менее 1,0 мм и размером ячейки не более 50х50 мм. Необходимо обеспечить надежный электрический контакт (при помощи сварки либо пайки) между сеткой, экранирующей окна и сеткой, экранирующей стены здания.</p>
]]></content:encoded>
			<wfw:commentRss>https://technology.snauka.ru/2015/02/5119/feed</wfw:commentRss>
		<slash:comments>0</slash:comments>
		</item>
	</channel>
</rss>
