<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rss version="2.0"
	xmlns:content="http://purl.org/rss/1.0/modules/content/"
	xmlns:wfw="http://wellformedweb.org/CommentAPI/"
	xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/"
	xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom"
	xmlns:sy="http://purl.org/rss/1.0/modules/syndication/"
	xmlns:slash="http://purl.org/rss/1.0/modules/slash/"
	>

<channel>
	<title>Электронный научно-практический журнал «Современная техника и технологии» &#187; очистка</title>
	<atom:link href="http://technology.snauka.ru/tags/ochistka/feed" rel="self" type="application/rss+xml" />
	<link>https://technology.snauka.ru</link>
	<description></description>
	<lastBuildDate>Fri, 30 Jan 2026 18:56:12 +0000</lastBuildDate>
	<language>ru</language>
	<sy:updatePeriod>hourly</sy:updatePeriod>
	<sy:updateFrequency>1</sy:updateFrequency>
	<generator>http://wordpress.org/?v=3.2.1</generator>
		<item>
		<title>Разработка технологического маршрута очистки полупроводниковых пластин для микроэлектронных изделий</title>
		<link>https://technology.snauka.ru/2015/01/5408</link>
		<comments>https://technology.snauka.ru/2015/01/5408#comments</comments>
		<pubDate>Wed, 07 Jan 2015 14:55:16 +0000</pubDate>
		<dc:creator>Яна Сычикова</dc:creator>
				<category><![CDATA[Общая рубрика]]></category>
		<category><![CDATA[cleaning]]></category>
		<category><![CDATA[polishing]]></category>
		<category><![CDATA[pollution]]></category>
		<category><![CDATA[semiconductor]]></category>
		<category><![CDATA[загрязнение]]></category>
		<category><![CDATA[очистка]]></category>
		<category><![CDATA[полировка]]></category>
		<category><![CDATA[полупроводник]]></category>

		<guid isPermaLink="false">https://technology.snauka.ru/?p=5408</guid>
		<description><![CDATA[От состояния поверхности полупроводника, его дефектности, зависит совершенство структуры эпитаксиальных слоев, выращиваемых на нее при изготовлении изделий [1, c. 32]. Размеры приповерхностной дефектной области могут достигать десятков и сотен микрометров, поэтому актуальной задачей полупроводникового приборостроения является разработка технологического маршрута подготовки полупроводниковых пластин. Одной из главных задач полупроводниковой техники является изготовление надежных приборов, способных работать в [...]]]></description>
			<content:encoded><![CDATA[<p>От состояния поверхности полупроводника, его дефектности, зависит совершенство структуры эпитаксиальных слоев, выращиваемых на нее при изготовлении изделий [1, c. 32]. Размеры приповерхностной дефектной области могут достигать десятков и сотен микрометров, поэтому актуальной задачей полупроводникового приборостроения является разработка технологического маршрута подготовки полупроводниковых пластин.</p>
<p>Одной из главных задач полупроводниковой техники является изготовление надежных приборов, способных работать в течение длительного времени. Хорошо известно, что электрические и оптические параметры электронных полупроводниковых приборов и их стабильность зависят от состояния поверхности полупроводниковых пластин [2, c. 4].</p>
<p>Обработка поверхности пластин полупроводников является очень важной в процессе производства интегральных схем различного назначения. Результаты подготовки подложек оказывают решающее влияние на получение различных структур и микроэлектронных изделий на их основе. Так, плохо очищенные полупроводниковые пластины могут являться некачественной подложкой для формирования на их основе наноразмерных структур. В зависимости от сложности получаемых изделий, операции очистки поверхности подложек занимают до трети общего количества всех технологических этапов изготовления полу­проводниковых изделий [3, с. 7 – 9].</p>
<p>К чистой поверхности пластин полупроводников предъявляются требования по минимальному содержанию различных загрязнений: органических, примесей металлов, механических частиц [4, c. 26].</p>
<p>Целью статьи является разработка технологического маршрута подготовки пластин полупроводника для дальнейшего его использования в качестве эпитаксиальных слоев.</p>
<p>Хорошо известно, что загрязнения на поверхности полупроводников могут носить органический и неорганический характер. Они могут представлять собой твердые и жидкие загрязнения, частицы и капли, вкрапления и остатки фоторезиста [5, c. 1].</p>
<p>Поверхность полупроводника характеризуется наличием огромного числа дефектов: дефекты упаковки, царапины, трещины, поверхностные дислокации, наколы и т.д.</p>
<p>Загрязнения (рис. 1) на поверхности кристалла присутствуют в виде ионов (катионы и анионы растворов), молекул (частицы материалов &#8211; цинк, никель, железо), атомов (пленки или частицы золота, серебра) [7, c. 185; 3, c. 10] . Кроме того, могут образовывать соединения с подложкой (например, оксиды).</p>
<p style="text-align: center;"><a href="https://technology.snauka.ru/2015/01/5408/1-65" rel="attachment wp-att-5409"><img src="https://technology.snauka.ru/wp-content/uploads/2015/01/1.jpg" alt="рис 1" width="590" height="336" /></a></p>
<p align="center"><em>Рис 1. Классификация загрязнений по типу взаимодействия с поверхностью</em></p>
<p>Электрические и оптические параметры электронных полупроводниковых приборов и их стабильность зависят от состояния поверхности полупроводниковых пластин [2, c. 5]. Кроме того, загрязнения являются одной из причин дефектов полупроводника. Это оказывает значительное влияние на характеристики изготовляемых микроэлектронных изделий (табл. 1).</p>
<p>При этом необходимо учитывать, что наибольшую опасность при обработке и хранении образцов представляют собой следующие факторы:</p>
<p>- оборудование;</p>
<p>- персонал,</p>
<p>- воздух.</p>
<p>Подобные источники загрязнений носят характер неконтролируемых или слабо контролируемых.</p>
<p>Поэтому с целью минимизирования количества подобного рода загрязнений на предприятиях и в лабораториях вводят определенные меры: чистые комнаты, стерилизация, спецодежда, вентиляция с ламинарным потоком воздуха, безконтактные методы обработки пластин, удаленное управление технологическими процессами.</p>
<p>Табл. 1. Влияние загрязнения на характеристики микроэлектронных изделий, изготовляемых на основе полупроводника</p>
<table width="100%" border="1" cellspacing="0" cellpadding="0">
<tbody>
<tr>
<td valign="top" width="33%">Тип загрязнения</td>
<td valign="top" width="33%">Примеры загрязнений</td>
<td valign="top" width="33%">Влияние на характеристики прибора</td>
</tr>
<tr>
<td valign="top" width="33%">Механические загрязнения</td>
<td valign="top" width="33%">органические вещества, металлические примеси, оксиды</td>
<td valign="top" width="33%">разлагаются при нагревании; под действием ионной и электронной бомбардировки могут выделять газообразные продукты, что ухудшает условия роста эпитаксиальных слоев, пористых структур</td>
</tr>
<tr>
<td valign="top" width="33%">Металлические загрязнения</td>
<td valign="top" width="33%">тяжелые металлы – Fe, Cu, Ni, Zn и др.</td>
<td valign="top" width="33%">диффундируют вглубь кристалла, при этом образуют энергетические уровни в запрещенной зоне. Это приводит к увеличению токов утечки</td>
</tr>
<tr>
<td valign="top" width="33%">Микронеровности поверхности</td>
<td valign="top" width="33%">Шероховатость</td>
<td valign="top" width="33%">Значительно ухудшается качество диэлектрического слоя</td>
</tr>
<tr>
<td valign="top" width="33%">Дефекты кристалла</td>
<td valign="top" width="33%">Поры, включения у поверхности, окислительные дефекты упаковки, сегрегационные полосы</td>
<td valign="top" width="33%">Снижают плотность тока интегральных схем, затруднят проведение химической и электрохимической обработки, значительно снижают качество материала</td>
</tr>
</tbody>
</table>
<p>Методы очистки полупроводниковых пластин условно можно разделить на физические и химические (табл. 2).</p>
<p>Табл. 2. Методы очистки и обезжиривания образцов</p>
<table border="1" cellspacing="0" cellpadding="0">
<tbody>
<tr>
<td valign="top" width="319">Физические методы очистки</td>
<td valign="top" width="319">Химические методы очистки</td>
</tr>
<tr>
<td valign="top" width="319">- растворение,</p>
<p>- отжиг,</p>
<p>- обработка поверхности ионами инертных газов,</p>
<p>- механическое удаление загрязнений,</p>
<p>- физическое обезжиривание</td>
<td valign="top" width="319">- травление, о</p>
<p>- химическое обезжиривание,</p>
<p>- жидкостная очистка,</p>
<p>- сухая очистка (плазмохимическое, газовое  травление),</p>
<p>- химическое и электрохимическое травление</td>
</tr>
</tbody>
</table>
<p>Таким образом, подготовка образцов должна проводиться системно, с использованием как физических, так и химических методов очистки.</p>
<p>Ниже приведены основные этапы технологического маршрута очистки полупроводниковых пластин:.</p>
<p>1) шлифовка образцов алмазным порошком;</p>
<p>2) очищение пластин толуолом, этанолом и изопропанолом;</p>
<p>3) обезжиривание в горячем (75-80°С) перекисно-аммиачном растворе;</p>
<p>4) промывание в проточной деионизированной воде (удаление продуктов реакции предыдущей обработки);</p>
<p>5) обработка в горячей (90-100°С) концентрированной азотной кислоте (удаление ионов металлов);</p>
<p>6) гидродинамическая обработка пластин бельичими кистями в струе деионизированной воды;</p>
<p>7) сушка пластин с помощью центрифуги в струе очищенного сухого воздуха.</p>
<p>8) химическое или электрохимическое травление (химическая полировка пластин,</p>
<p>9) сульфидирование поверхности кристалла (пассивация).</p>
<p>Следует отметить, что некоторые этапы предварительной очистки можно опустить, в зависимости от предъявляемой чистоты поверхности пластин. И напротив, для специфических условий могут быть добавлены дополнительные промежуточные этапы подготовки пластин.</p>
<p>В процессе изготовления микроэлектронных устройств поверхность кристалла подвергается загрязнению от различных источников. Количество загрязнений не всегда можно контролировать, так как этот полупроводниковая пластина не является закрытой системой, постоянно взаимодействуя с внешней средой. Очистка полупроводниковых пластин является важной технологической задачей. В работе рассмотрены основные виды загрязнений и приведен технологический маршрут подготовки кристаллических образцов.</p>
]]></content:encoded>
			<wfw:commentRss>https://technology.snauka.ru/2015/01/5408/feed</wfw:commentRss>
		<slash:comments>0</slash:comments>
		</item>
		<item>
		<title>Перспективы развития электрофильтрации воздушных сред</title>
		<link>https://technology.snauka.ru/2017/03/12958</link>
		<comments>https://technology.snauka.ru/2017/03/12958#comments</comments>
		<pubDate>Fri, 31 Mar 2017 18:43:19 +0000</pubDate>
		<dc:creator>Петров Алексей Михайлович</dc:creator>
				<category><![CDATA[Общая рубрика]]></category>
		<category><![CDATA[atmosphere]]></category>
		<category><![CDATA[electrofiltration]]></category>
		<category><![CDATA[electrostatic precipitator]]></category>
		<category><![CDATA[gases]]></category>
		<category><![CDATA[industry]]></category>
		<category><![CDATA[purification]]></category>
		<category><![CDATA[атмосфера]]></category>
		<category><![CDATA[газы]]></category>
		<category><![CDATA[очистка]]></category>
		<category><![CDATA[промышленность.]]></category>
		<category><![CDATA[электрофильтр]]></category>
		<category><![CDATA[электрофильтрация]]></category>

		<guid isPermaLink="false">https://technology.snauka.ru/2017/03/12958</guid>
		<description><![CDATA[Воздух российских территорий с предприятиями легкой тяжелой промышленности, химии и нефтехимии, добычи и транспортировки нефтепродуктов, с объектами топливно-энергетического комплекса, животноводства и переработки сельскохозяйственной продукции загрязнён высокими концентрациями бензпирена, взвешенных частиц, диоксида азота, сероуглерода, формальдегида и прочих веществ. Выбросы этих веществ распространяются на расстояние от 2 до 50 км вокруг стационарного источника (расстояние соответственно варьируется от [...]]]></description>
			<content:encoded><![CDATA[<p>Воздух российских территорий с предприятиями легкой тяжелой промышленности, химии и нефтехимии, добычи и транспортировки нефтепродуктов, с объектами топливно-энергетического комплекса, животноводства и переработки сельскохозяйственной продукции загрязнён высокими концентрациями бензпирена, взвешенных частиц, диоксида азота, сероуглерода, формальдегида и прочих веществ. Выбросы этих веществ распространяются на расстояние <strong>от 2 до 50 км</strong><strong> </strong>вокруг стационарного источника (расстояние соответственно варьируется от производительности и его типа).</p>
<p>Несомненно, выброс подобных веществ в атмосферу сопряжен с ее значительными изменениями, поэтому предприятия предусматривают всевозможные способы очистки выбросов в атмосферу. Для каждого «выброса» предусматривается отдельный способ очистки, но в последнее время намечена тенденция на применение комбинированных способов, либо внедрения способа, очищающего несколько типов «выбросов» сразу. Наиболее перспективной в плане очистки воздушных «выбросов» является технология электрофильтрации.</p>
<p>Электрофильтрация является высокоэффективным методом извлечения из выходящих потоков газов взвесей различного состава и разной степени дисперсности.</p>
<p>Рассмотрим опыт применения технологии электрофильтрации в зависимости от типов предприятий, и на основе его анализа попробуем представить дальнейшее ее развитие.</p>
<p>Основными источниками загрязнения атмосферы на предприятиях легкой промышленности являются электролизные ванны, места загрузки и пересыпки сырья, дробильно-мельничное оборудование, смесители, сушильные барабаны, трепальные агрегаты, шлифовальные станки, прядильные и чесальные машины, оборудование для окраски изделий, барабаны для специальной обработки пушно- меховых заготовок и изделий.</p>
<p>В выбросах предприятий легкой промышленности присутствуют диоксид серы (3,9% суммарного выброса в атмосферу), оксид углерода (34,9%), твердые вещества (11,8%), оксиды азота (7,4%), летучие органические соединения (12,6%), прочие газообразные и жидкие вещества (40,2%) и другие вещества. При подобных концентрациях естественно применяются различные способы очистки (таблица 1).</p>
<p>Таблица 1 &#8211; Способы очистки газовых выбросов предприятий легкой промышленности<strong></strong></p>
<table border="1" cellspacing="0" cellpadding="0">
<tbody>
<tr>
<td width="319">
<p align="center"><strong>Способы очистки</strong></p>
</td>
<td width="319">
<p align="center"><strong>Оборудование (очищаемые газы)</strong></p>
</td>
</tr>
<tr>
<td colspan="2" width="638">
<p align="center"><strong><em>По методам удаления твердых частиц</em></strong></p>
</td>
</tr>
<tr>
<td width="319">Использование механических осадителей</td>
<td width="319">Осадительные камеры с заслонками, с горизонтальными полками, с лабиринтами, с наклонными полками; циклоны-осадители с тангенциальным входом, с осевым входом, групповые циклоны; мультициклоны параллельные, последовательные.</td>
</tr>
<tr>
<td width="319">Применение мокрых инерционных пылеуловителей</td>
<td width="319">Тарелочный скруббер, скрубберы с насадками</td>
</tr>
<tr>
<td width="319">Фильтрация</td>
<td width="319">Тканевы, волокнистые, зернистые фильтры</td>
</tr>
<tr>
<td width="319">Электрофильтры</td>
<td width="319">Ступенчатые, двухступенчатые электрофильтры</td>
</tr>
<tr>
<td colspan="2" width="638">
<p align="center"><strong><em>По методам удаления газообразных загрязнителей</em></strong></p>
</td>
</tr>
<tr>
<td width="319">Абсорбция</td>
<td width="319">Диоксид серы, оксид углерода, оксиды азота и органические газообразные загрязнители</td>
</tr>
<tr>
<td width="319">Адсорбция</td>
<td width="319">Газы с сильным запахом, пары растворителей, пары эфира, пары ацетона, выхлопные газы, сероводород, радиоактивные газы, этилен</td>
</tr>
<tr>
<td width="319">Конденсация</td>
<td width="319">Пары вещества с температурой, близкой к точке росы, органические соединения, углеводороды</td>
</tr>
<tr>
<td width="319">Дожигание</td>
<td width="319">Органические соединения, углеводороды</td>
</tr>
<tr>
<td width="319">Химические методы очистки</td>
<td width="319">Оксид азота, оксид серы</td>
</tr>
</tbody>
</table>
<p>Забегая вперед необходимо сказать, что в последующих типах предприятий эти способы дублируются. Подобное обстоятельство приводит нас к выводу о не состоявшемся еще, но намечающемся уже глубинном подходе к созданию отдельных способов очистки для отдельных типов предприятий. Наиболее целесообразным является внедрение следующих мероприятий по предотвращению выбросов в атмосферу:</p>
<p>1) усовершенствование технологических процессов;</p>
<p>2) модернизация методов пылеулавливания;</p>
<p>3) подавление процессов образования вредных веществ.</p>
<p>В легкой промышленности остро стоит проблема образования отходов производства и потребления. Отсутствие развитых технологий их переработки, а наряду с этим и необходимого количества мощностей специализированного оборудования приводит к тому, что в качестве ресурсов на переработку используется только 22%, а полностью обезвреживается всего 3,5% из общей доли выбросов [1].<strong></strong></p>
<p>В то же время в агропромышленном комплексе [2,3,4,5,6], а именно на предприятиях занимающихся переработкой зерна и производству муки, а также в животноводстве, широко применяются механические способы снижения концентрации пыли, таки как системы приточно-вытяжной вентиляции в комбинации с циклонами, все теми же скрубберами и матерчатыми фильтрами.</p>
<p>Механические пылеуловители, широко применяемые в системах вентиляции данного типа предприятий не способны в требуемой стандартами мере улучшить состояние запыленности воздуха внутри помещения. Этот факт объясняется наличием недостатков в используемых устройствах, а именно:</p>
<ol>
<li>Недостаточная эффективность при улавливании мелкодисперсной пыли;</li>
<li>Энергозатратность системы;</li>
<li>Большие габаритные размеры.</li>
</ol>
<p>Ввиду этого, появился ряд внедрений, которые подкреплены теоретическими и экспериментальными исследованиями, и внедрения эти касаются эффективного использования способов электрической фильтрации запыленного воздуха. Электрофильтры обладают рядом преимущества по сравнению с механическими и другими видами пылеуловителей.</p>
<p>Так, например, в статье [7] авторы выделяют следующие основные преимущества применения электрофильтров:</p>
<ol>
<li>Высокая эффективность очистки запыленного воздуха в различных условиях;</li>
<li>Низкие энергозатраты (как правило, они не превышают 100–150 Вт на 1000 м<sup>3</sup>);</li>
<li>Простота и надежность конструкции.</li>
</ol>
<p>Такие преимущества электрофильтров «перебивают» перечисленные выше недостатки механических способов очистки.</p>
<p>На предприятиях тяжелой промышленности имеется проблема очистки воздуха рабочих помещений от масляного тумана. При проведении таких широко распространенных операций, как шлифовка, резка, полировка и температура нагрева материалов подверженных обработке может доходить до 500 ºС. Соответственно, чтобы избежать изменения структурности материалов и параллельно с этим продлить эксплуатационные характеристики применяемых инструментов, обычно используют смазочно-охлаждающие жидкости (СОЖ), которые неизбежно попадают в воздух и какое-то время находится в воздушно-капельной смеси (туман). В результате образованный туман изобилует различными смесями масел, мелкодисперсными частицами смазочных и поверхностно-активных веществ, которые могут являться токсичными. В итоге отводимый от рабочих поверхностей воздух, смешанный с туманом проходит систему фильтрации перед удалением в атмосферу.</p>
<p>В качестве фильтров -туманоуловителей широкое применение нашли двухзонные электрофильтры, а также комбинированные двух-, трехступенчатые установки или всевозможные, кустарные установки на основе элеткрофильтров.  «Чистые» двухзонные электрофильтры, то есть без внесения дополнительных конструкционных элементов, имеют ряд недостатков[8]:</p>
<ol>
<li>Сложность в изготовлении;</li>
<li>Сложность эксплуатации;</li>
<li>Недостаточная эффективность очистки (в среднем 85-95%) в связи с особенностью процессов.</li>
</ol>
<p>Одной из сложных проблем в электрогазоочистке подобных типов предприятий является очистка газов от пыли с высоким удельным сопротивлением, которые также присутствуют на предприятиях тепло-энергетического комплекса, нефтепереработки, химии и нефтехимии. Наличие подобных газов в воздух приводит к снижению степени очистки газов электрофильтрами, также применение электрофильтрации имеет ряд ограничений, особенно если осаждение взвешенных частиц может сопровождаться электрохимическими реакциями с выходом токсичных продуктов или добавлять таковые (например, SO<sub>3</sub>, NH<sub>4</sub> и т.п.) для интенсификации процесса электрофильтрации (что возможно на данном типе предприятий).</p>
<p>Решение подобной проблемы, по мнению [9] является создание на предприятиях АСУ ТП (автоматических систем управления технологическими процессами), объединяющей все оборудование электрофильтрации в единую систему.</p>
<p>Таким образом, разработка и реализация новых подходов и алгоритмов ведения технологических процессов электрофильтрации, внедрение новых устройств на современной элементной базе является актуальной задачей.</p>
]]></content:encoded>
			<wfw:commentRss>https://technology.snauka.ru/2017/03/12958/feed</wfw:commentRss>
		<slash:comments>0</slash:comments>
		</item>
	</channel>
</rss>
